Kingston Technology ValueRAM KVR1333D3S8R9S Bedienungsanleitung

Kingston Technology Nicht kategorisiert ValueRAM KVR1333D3S8R9S

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Memory Module Specification
Document No. VALUERAM0846-001.A00
09/18/09
KVR1333D3S8R9S/1GI
1GB 128M x 72-Bit PC3-10600
CL9 Registered w/Parity 240-Pin DIMM
Page 1
DESCRIPTION:
This document describes ValueRAM's 128M x 72-bit 1GB (1024MB) DDR3-1333MHz CL9 SDRAM (Synchronous
DRAM) registered w/parity, (Intel
®
Compatibility Tested), single-rank memory module, based on nine 128M x 8-bit
DDR3-1333MHz FBGA components. The SPD is programmed to JEDEC standard latency 1333MHz timing of 9-9-9 at
1.5V. This 240-pin DIMM uses gold contact fingers and requires +1.5V. The electrical and mechanical specifications
are as follows:
FEATURES:
JEDEC standard 1.5V ± 0.075V Power Supply
VDDQ = 1.5V ± 0.075V
667MHz fCK for 1333Mb/sec/pin
8 independent internal bank
Programmable CAS Latency: 6,7,8,9,10
Programmable Additive Latency: 0, CL - 2, or CL - 1 clock
Programmable CAS Write Latency(CWL) = 7(DDR3-1333)
8-bit pre-fetch
Burst Length: 8 (Interleave without any limit, sequential with starting address “000” only), 4 with tCCD = 4
which does not allow seamless read or write [either on the fly using A12 or MRS]
Bi-directional Differential Data Strobe
Internal(self) calibration : Internal self calibration through ZQ pin (RZQ : 240 ohm ± 1%)
On Die Termination using ODT pin
On-DIMM thermal sensor (Grade B)
Average Refresh Period 7.8us at lower then TCASE 85°C, 3.9us at 85°C < TCASE . 95°C
Asynchronous Reset
PCB : Height 1.180" (30.00mm), double sided component
PERFORMANCE:
CL(IDD)9 cycles
Row Cycle Time (tRCmin)49.5ns (min.)
Refresh to Active/Refresh Command Time (tRFCmin)110ns (min.)
Row Active Time (tRASmin)36ns (min.)
Power2.137 W (operating)
UL Rating94 V - 0
Operating Temperature0
o
C to 85
o
C
Storage Temperature-55
o
C to +100
o
C

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Produktspezifikationen

Marke: Kingston Technology
Kategorie: Nicht kategorisiert
Modell: ValueRAM KVR1333D3S8R9S
Betriebstemperatur: 0 - 85 °C
Speicherkapazität: 1 GB
Interner Speichertyp: DDR3
ECC: Ja
Speichertaktfrequenz: 1333 MHz
Breite der Speicherschnittstelle: 72 Bit
Memory Formfaktor: 240-pin DIMM
Speichertyp: DDR3
Speicherspannung: 1.5 V
Gepufferter Speichertyp: Registered (buffered)
CAS Latenz: 9
Speicherlayout (Module x Größe): 1 x 1 GB
Chiporganisation: X8
Row Cycle Time: 49.5 ns
Refresh Row Cycle Time: 110 ns
Row Active Time: 36 ns
Bleiüberzug: Gold

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