Texas Instruments CSD19534Q5A Bedienungsanleitung

Lies die bedienungsanleitung für Texas Instruments CSD19534Q5A (13 Seiten) kostenlos online; sie gehört zur Kategorie Nicht kategorisiert. Dieses Handbuch wurde von 4 Personen als hilfreich bewertet und erhielt im Schnitt 4.2 Sterne aus 7 Bewertungen. Hast du eine Frage zu Texas Instruments CSD19534Q5A oder möchtest du andere Nutzer dieses Produkts befragen? Stelle eine Frage

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8

12

16

20

24

28

32

36

40

02468101214161820

V

GS

- Gate-to- Source Voltage (V)

R

DS(on)

- On-State Resistance (mΩ)

T

C

= 25°C, I

D

= 10A

T

C

= 125°C, I

D

= 10A

G001

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

024681012141618

Q

g

- Gate Charge (nC)

V

GS

- Gate-to-Source Voltage (V)

I

D

= 10A

V

DS

= 50V

G001

1

D

2

D

3

D

4

D

D

5

G

6S

7

S

8S

P0093-01

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CSD19534Q5A

SLPS483–MAY2014

CSD19534Q5A100VN-ChannelNexFET™PowerMOSFETs

1Features

ProductSummary

1

•Ultra-LowQ

g

andQ

gd

T

A

=25°CTYPICALVALUEUNIT

•LowThermalResistance

V

DS

Drain-to-SourceVoltage100V

•AvalancheRated

Q

g

GateChargeTotal(10V)17nC

Q

gd

GateChargeGatetoDrain3.2nC

•Pb-FreeTerminalPlating

V

GS

=6V14.1mΩ

•RoHSCompliant

R

DS(on)

Drain-to-SourceOnResistance

V

GS

=10V12.6mΩ

•HalogenFree

V

GS(th)

ThresholdVoltage2.8V

•SON5mm×6mmPlasticPackage

.

2Applications

OrderingInformation

(1)

•PrimarySideTelecom

DeviceMediaQtyPackageShip

CSD19534Q5A13-InchReel2500

•MotorControl

SON5x6mmTapeand

PlasticPackageReel

CSD19534Q5AT7-InchReel250

3Description

(1)Forallavailablepackages,seetheorderableaddendumat

theendofthedatasheet.

This100V,12.6mΩ,SON5mmx6mmNexFET™

powerMOSFETisdesignedtominimizelossesin

AbsoluteMaximumRatings

powerconversionapplications.

T

A

=25°CVALUEUNIT

TopView

V

DS

Drain-to-SourceVoltage100V

V

GS

Gate-to-SourceVoltage±20V

ContinuousDrainCurrent(Packagelimited)50

ContinuousDrainCurrent(Siliconlimited),

I

D

44A

T

C

=25°C

ContinuousDrainCurrent

(1)

10

I

DM

PulsedDrainCurrent

(2)

137A

PowerDissipation

(1)

3.2

P

D

W

PowerDissipation,T

C

=25°C63

T

J

,OperatingJunctionand

–55to150°C

.

T

stg

StorageTemperatureRange

AvalancheEnergy,singlepulse

.

E

AS

55mJ

I

D

=33A,L=0.1mH,R

G

=25Ω

(1)TypicalR

θJA

=40°C/Wona1-inch

2

,2-oz.Cupadona0.06-

inchthickFR4PCB.

(2)MaxR

θJC

=2.0°C/W,pulseduration≤100μs,dutycycle≤1%

R

DS(on)

vsV

GS

GateCharge

1

AnIMPORTANTNOTICEattheendofthisdatasheetaddressesavailability,warranty,changes,useinsafety-criticalapplications,

intellectualpropertymattersandotherimportantdisclaimers.PRODUCTIONDATA.

Produktspezifikationen