Texas Instruments CSD18502Q5B Bedienungsanleitung
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V
GS
- Gate-to-Source Voltage (V)
R
DS(on)
- On-State Resistance (m:)
02468101214161820
0
1
2
3
4
5
6
7
8
D007
T
C
= 25°C, I
D
= 30 A
T
C
= 125°C, I
D
= 30 A
Q
g
- Gate Charge (nC)
V
GS
- Gate-to-Source Voltage (V)
0510152025303540455055
0
2
4
6
8
10
D004
I
D
= 30 A
V
DS
= 20 V
1
D
2
D
3
D
4
D
D
5
G
6S
7
S
8S
P0093-01
Product
Folder
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Now
Technical
Documents
Tools &
Software
Support &
Community
Reference
Design
AnIMPORTANTNOTICEattheendofthisdatasheetaddressesavailability,warranty,changes,useinsafety-criticalapplications,
intellectualpropertymattersandotherimportantdisclaimers.PRODUCTIONDATA.
CSD18502Q5B
SLPS320B–NOVEMBER2012–REVISEDMAY2017
CSD18502Q5B40VN-ChannelNexFET™PowerMOSFET
1
1Features
1
•Ultra-LowQ
g
andQ
gd
•LowThermalResistance
•AvalancheRated
•LogicLevel
•Pb-FreeTerminalPlating
•RoHSCompliant
•Halogen-Free
•SON5mm×6mmPlasticPackage
2Applications
•DC-DCConversion
•SecondarySideSynchronousRectifier
•MotorControl
3Description
This40-V,1.8-mΩ,5mm×6mmNexFET™power
MOSFETisdesignedtominimizelossesinpower
conversionapplications.
TopView
ProductSummary
T
A
=25°CTYPICALVALUEUNIT
V
DS
Draintosourcevoltage40V
Q
g
Gatechargetotal(4.5V)25nC
Q
gd
Gatechargegatetodrain8.4nC
R
DS(on)
Draintosourceonresistance
V
GS
=4.5V2.5mΩ
V
GS
=10V1.8mΩ
V
GS(th)
Thresholdvoltage1.8V
OrderingInformation
(1)
DEVICEQTYMEDIAPACKAGESHIP
CSD18502Q5B250013-InchReel
SON5mm×6mm
PlasticPackage
Tapeand
Reel
CSD18502Q5BT2507-InchReel
(1)Forallavailablepackages,seetheorderableaddendumat
theendofthedatasheet.
AbsoluteMaximumRatings
T
A
=25°CVALUEUNIT
V
DS
Draintosourcevoltage40V
V
GS
Gatetosourcevoltage±20V
I
D
Continuousdraincurrent(packagelimited)100
A
Continuousdraincurrent(siliconlimited),T
C
=25°C
204
Continuousdraincurrent
(1)
26
I
DM
Pulseddraincurrent
(2)
400A
P
D
Powerdissipation
(1)
3.2
W
Powerdissipation,T
C
=25°C156
T
J
Operatingjunctiontemperature–55to150°C
T
stg
Storagetemperature–55to150°C
E
AS
Avalancheenergy,singlepulse
I
D
=88A,L=0.1mH,R
G
=25Ω
387mJ
(1)TypicalR
θJA
=40°C/Wona1inch
2
,2oz.Cupadona0.06
inchthickFR4PCB.
(2)MaxR
θJC
=0.8°C/W,pulseduration≤100μs,dutycycle≤1%
R
DS(on)
vsV
GS
GateCharge
Produktspezifikationen
| Marke: | Texas Instruments |
| Kategorie: | Nicht kategorisiert |
| Modell: | CSD18502Q5B |
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